图片仅供参考,产品以实物为准
规格书 |
2SB1216/2SD1816 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 200mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 70 @ 500mA, 5V |
功率 - 最大 | 1W |
频率转换 | 180MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | TP |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TP |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 100 V |
集电极最大直流电流 | 4 A |
最小直流电流增益 | 140@0.5A@5V |
最大工作频率 | 180(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@0.2A@2A V |
最大集电极基极电压 | 120 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 4 |
最低工作温度 | -55 |
Maximum Transition Frequency | 180(Typ) |
包装宽度 | 2.3 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1000 |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 120 |
最大集电极发射极电压 | 100 |
供应商封装形式 | TP |
标准包装名称 | TO-251 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 6.5 |
包装高度 | 5.5 |
最大基地发射极电压 | 6 |
封装 | Bag |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 180MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 200mA, 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | TP |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 70 @ 500mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
增益带宽产品fT | 130 MHz |
晶体管极性 | NPN |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
系列 | 2SD1816 |
品牌 | ON Semiconductor |
身高 | 2.3 mm |
Pd - Power Dissipation | 20 W |
2SD1816S-E也可以通过以下分类找到
2SD1816S-E相关搜索
咨询QQ
热线电话